[发明专利]一种鳍状结构、半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201911221864.5 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111029258A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;程晓红;杨红;王晓磊;马雪丽;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍状结构制备方法，包括步骤，提供衬底，在衬底上形成若干鳍状结构；淀积第一保护层；淀积氧化介质层，并进行平坦化处理；回刻氧化介质层，使鳍状结构和第一保护层露头；或回刻氧化介质层和第一保护层，使鳍状结构露头；淀积第二保护层；对已形成的结构进行退火处理；去除第二保护层或第二保护层和露出的第一保护层，最终使鳍状结构再次露头。本发明还提供一种鳍状结构，以及一种半导体器件及其制备方法。本发明形成的鳍状结构或鳍状结构和第一保护层露头之后，且退火处理之前，淀积第二保护层，退火处理时，第二保护层能够避免热不稳定性的发生，而且能够避免微沟槽缺陷的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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