[发明专利]一种鳍状结构、半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种鳍状结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成若干鳍状结构；

淀积第一保护层；

淀积氧化介质层，并进行平坦化处理；

回刻所述氧化介质层和第一保护层，使所述鳍状结构露头；或回刻所述氧化介质层，使所述鳍状结构和第一保护层露头；

淀积第二保护层；

对已形成的结构进行退火处理；

去除所述第二保护层，或，去除所述第二保护层和露头的所述第一保护层，最终使所述鳍状结构再次露头。

2.根据权利要求1所述的鳍状结构制备方法，其特征在于，所述鳍状结构自上而下包括高迁移率材料部和衬底部，或，所述高迁移率材料部和应变缓冲部，或，高迁移率材料部和牺牲部的叠层及所述衬底部，或，所述叠层和应变缓冲部。

3.根据权利要求1所述的鳍状结构制备方法，其特征在于，采用原子层淀积或等离子体增强化学气相沉积方法淀积所述第一保护层和所述第二保护层。

4.根据权利要求1所述的鳍状结构制备方法，其特征在于，所述第一保护层和第二保护层均为氮化硅。

5.根据权利要求1所述的鳍状结构制备方法，其特征在于，所述第一保护层的层厚为5-15纳米；所述第二保护层的层厚为5-30纳米。

6.根据权利要求1所述的鳍状结构制备方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺或高深宽比沉积工艺形成所述氧化介质层。

7.根据权利要求1所述的鳍状结构制备方法，其特征在于，回刻所述氧化介质层和第一保护层，使所述鳍状结构露头的步骤包括：

采用氢氟酸腐蚀液回刻所述氧化介质层，使所述鳍状结构和第一保护层露头，其中，所述氧化介质层为二氧化硅；

采用热磷酸腐蚀液去除所述第一保护层，使所述鳍状结构露头，所述第一保护层为氮化硅。

8.根据权利要求1所述的鳍状结构制备方法，其特征在于，回刻所述氧化介质层和第一保护层，使所述鳍状结构露头的步骤包括：

采用SiCoNi刻蚀工艺回刻所述氧化介质层和第一保护层，使所述鳍状结构露头，所述氧化介质层为二氧化硅，所述第一保护层为氮化硅。

9.根据权利要求1所述的鳍状结构制备方法，其特征在于，回刻所述氧化介质层，使所述鳍状结构和第一保护层露头的步骤包括：

采用氢氟酸腐蚀液或SiCoNi刻蚀工艺回刻所述氧化介质层，使所述鳍状结构和第一保护层露头，所述氧化介质层为二氧化硅，所述第一保护层为氮化硅。

10.根据权利要求1所述的鳍状结构制备方法，其特征在于，所述退火处理的方法包括炉管退火、快速退火或激光退火中的任意一种，或任意两种的组合；

其中，所述炉管退火的退火温度为600-800摄氏度，退火时间为20-60分钟；

所述快速退火的退火温度为700-850摄氏度，退火时间为10-60秒；

所述激光退火的退火温度为750-1150摄氏度，退火时间为10纳秒至500毫秒。

11.根据权利要求1所述的鳍状结构制备方法，其特征在于，去除所述第二保护层，或，去除所述第二保护层和露出的所述第一保护层，最终使所述鳍状结构再次露头的步骤包括：

采用热磷酸腐蚀液完全去除所述第二保护层，或，完全去除所述第二保护层和露出的所述第一保护层，所述第一保护层和第二保护层均为氮化硅。

12.根据权利要求1所述的鳍状结构制备方法，其特征在于，退火处理后，露头部分仅包括所述第二保护层和鳍状结构时，去除所述第二保护层，最终使所述鳍状结构再次露头的步骤包括：

采用热磷酸腐蚀液去除部分所述第二保护层；

采用SiCoNi刻蚀工艺刻蚀掉剩余的所述第二保护层，所述第二保护层为氮化硅。