[发明专利]超薄成像芯片及其形成方法、成像模组及其形成方法在审
| 申请号： | 201911213570.8 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN110943100A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 王腾;王威;姜迪 | 申请（专利权）人： | 多感科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 201899 上海市嘉定区菊园*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种超薄成像芯片及其形成方法以及一种成像模组及其形成方法，所述超薄成像芯片的形成方法包括：提供图像传感器，包括衬底及形成于所述衬底的第一表面的像素层，所述衬底具有指定厚度；在所述衬底内形成对应于像素面成像区域的透光区。所述超薄成像芯片的厚度较小。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 成像 芯片 及其 形成 方法 模组 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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