[发明专利]超薄成像芯片及其形成方法、成像模组及其形成方法在审
| 申请号: | 201911213570.8 | 申请日: | 2019-12-02 |
| 公开(公告)号: | CN110943100A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
| 发明(设计)人: | 王腾;王威;姜迪 | 申请(专利权)人: | 多感科技(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 董琳 |
| 地址: | 201899 上海市嘉定区菊园*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 超薄 成像 芯片 及其 形成 方法 模组 | ||
一种超薄成像芯片及其形成方法以及一种成像模组及其形成方法,所述超薄成像芯片的形成方法包括:提供图像传感器,包括衬底及形成于所述衬底的第一表面的像素层,所述衬底具有指定厚度;在所述衬底内形成对应于像素面成像区域的透光区。所述超薄成像芯片的厚度较小。
技术领域
本发明涉及传感技术领域,尤其涉及一种超薄成像芯片及其形成方法、一种成像模组及其形成方法。
背景技术
智能移动终端中的光学式生物识别传感器等应用中,需要使用超薄的集成了光学组件(如微透镜)和图像传感器的成像系统。在现有集成图像传感器和微透镜阵列的成像芯片中,微透镜需要制作在玻璃盖板上。
目前,在使用成熟可量产的制程和材料的前提下,已经无法进一步降低整个系统的厚度。如果需要降低成像系统的后续,只能是通过制程改进减小图像传感器厚度以及降低玻璃盖板厚度这两种途径,而制程的改进需要耗费大量的研发投入和时间,而玻璃盖板厚度降低会导致盖板容易皮损,成像芯片的可靠性降低。
如何进一步降低成像芯片的厚度,是目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种超薄成像芯片及其形成方法、成像模组及其形成方法,降低成像芯片和成像模组的厚度。
为了解决上述问题,本发明提供了一种超薄成像芯片的形成方法,包括:提供图像传感器,包括衬底及形成于所述衬底的第一表面的像素层,所述衬底具有指定厚度;在所述衬底内形成对应于像素面成像区域的透光区。
可选的,所述透光区域的形成方法包括:在衬底的第二表面上形成具有开口的遮光层,所述衬底被所述开口暴露的区域为所述透光区域,所述透光区域针对能够透过所述衬底的特定波长范围的光。
可选的,所述透光区域的形成方法包括:在衬底内形成底部到达像素层的导光孔,在所述导光孔内填充透明材料层,所述导光孔所在区域为所述透光区域。
可选的,还包括在衬底的第二表面上形成具有开口的遮光层,所述开口与所述导光孔对应。
可选的,所述透光区域的光线入射端尺寸小于对应的成像区域的尺寸,满足在所述像素层内小孔成像的要求。
可选的,还包括:在所述衬底的第二表面上形成与所述透光区域位置对应的微透镜。
可选的,通过对所述衬底的第二表面进行减薄,使得所述衬底具有指定厚度;在进行减薄之前,在所述像素层表面形成互连结构。
本发明的技术方案还提供一种超薄成像芯片,包括:图像传感器,包括衬底及形成于所述衬底的第一表面的像素层,所述衬底具有指定厚度;位于所述衬底内的对应于像素面成像区域的透光区域。
可选的,还包括:位于所述衬底的第二表面上的具有开口的遮光层,所述衬底被所述开口暴露的区域为所述透光区域,所述透光区域针对能够透过所述衬底的特定波长范围的光。
可选的,还包括:在衬底内形成底部到达像素层的导光孔;填充于所述导光孔内的透明材料层,所述导光孔所在区域为所述透光区域。
可选的,还包括:位于所述衬底的第二表面上的具有开口的遮光层,所述开口与所述导光孔对应。
可选的,所述透光区域的光线入射端尺寸小于对应的成像区域的尺寸,满足在所述像素层内小孔成像的要求。
可选的,还包括:位于所述衬底的第二表面上的与所述透光区域位置对应的微透镜。
本发明的技术方案还提供一种成像模组的形成方法,包括:提供上述任一项所述的超薄成像芯片;提供基板,所述基板表面形成有电连接层;将至少一个所述超薄成像芯片的像素层朝向所述基板表面组装于所述基板上,使得所述像素层与所述基板表面的电连接层之间形成电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





