[发明专利]超薄成像芯片及其形成方法、成像模组及其形成方法

权利要求书

1.一种超薄成像芯片的形成方法，其特征在于，包括：

提供图像传感器，包括衬底及形成于所述衬底的第一表面的像素层，所述衬底具有指定厚度；

在所述衬底内形成对应于像素面成像区域的透光区域。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述透光区域的形成方法包括：在衬底的第二表面上形成具有开口的遮光层，所述衬底被所述开口暴露的区域为所述透光区域，所述透光区域针对能够透过所述衬底的特定波长范围的光。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述透光区域的形成方法包括：在衬底内形成底部到达像素层的导光孔，在所述导光孔内填充透明材料层，所述导光孔所在区域为所述透光区域。

4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，还包括在衬底的第二表面上形成具有开口的遮光层，所述开口与所述导光孔对应。

5.根据权利要求2或4所述的形成方法，其特征在于，所述透光区域的光线入射端尺寸小于对应的成像区域的尺寸，满足在所述像素层内小孔成像的要求。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：在所述衬底的第二表面上形成与所述透光区域位置对应的微透镜。

7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，通过对所述衬底的第二表面进行减薄，使得所述衬底具有指定厚度；在进行减薄之前，在所述像素层表面形成互连结构。

8.一种超薄成像芯片，其特征在于，包括：

图像传感器，包括衬底及形成于所述衬底的第一表面的像素层，所述衬底具有指定厚度；

位于所述衬底内的对应于像素面成像区域的透光区域。

9.根据权利要求8所述的超薄成像芯片，其特征在于，还包括：位于所述衬底的第二表面上的具有开口的遮光层，所述衬底被所述开口暴露的区域为所述透光区域，所述透光区域针对能够透过所述衬底的特定波长范围的光。

10.根据权利要求8所述的超薄成像芯片，其特征在于，还包括：在衬底内形成底部到达像素层的导光孔；填充于所述导光孔内的透明材料层，所述导光孔所在区域为所述透光区域。

11.根据权利要求10所述的超薄成像芯片，其特征在于，还包括：位于所述衬底的第二表面上的具有开口的遮光层，所述开口与所述导光孔对应。

12.根据权利要求9或11所述的超薄成像芯片，其特征在于，所述透光区域的光线入射端尺寸小于对应的成像区域的尺寸，满足在所述像素层内小孔成像的要求。

13.根据权利要求8所述的超薄成像芯片，其特征在于，还包括：位于所述衬底的第二表面上的与所述透光区域位置对应的微透镜。

14.一种成像模组的形成方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求8至13中任一项所述的超薄成像芯片；

提供基板，所述基板表面形成有电连接层；

将至少一个所述超薄成像芯片的像素层朝向所述基板表面组装于所述基板上，使得所述像素层与所述基板表面的电连接层之间形成电连接。

15.根据权利要求14所述的成像模组的形成方法，其特征在于，所述超薄成像芯片的像素层表面形成有互连结构；采用倒装工艺，将所述超薄成像芯片组装至所述基板上，所述互连结构与所述基板表面的电连接层之间形成电连接。

16.根据权利要求14所述的成像模组的形成方法，其特征在于，还包括：在所述基板表面组装其他功能器件，所述功能器件与所述电连接层之间具有电连接。