[发明专利]半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件在审
| 申请号： | 201911194101.6 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN112864019A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 龚轶;毛振东;刘伟;袁愿林;王鑫 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供的半导体功率器件的制造方法，包括：以硬掩膜层为掩膜对半导体衬底进行刻蚀，在半导体衬底内形成第一沟槽；在第一沟槽的表面形成栅氧化层；在第一沟槽的侧壁处形成栅极；以硬掩膜层为掩膜对栅氧化层和半导体衬底进行刻蚀，在半导体衬底内形成第二沟槽；在第一沟槽和第二沟槽内形成氮化硅侧墙；以硬掩膜层和氮化硅侧墙为掩膜对半导体衬底进行刻蚀，在半导体衬底内形成第三沟槽；进行热氧化，在第三沟槽的表面形成第一场氧化层；淀积形成第二场氧化层；淀积第二层多晶硅并回刻，在第三沟槽、第二沟槽和第一沟槽内形成屏蔽栅。本发明在提高半导体功率器件耐压的同时保证了栅极多晶硅的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
