[发明专利]半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件

权利要求书

1.半导体功率器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成硬掩膜层，并在所述硬掩膜层中形成开口；

以所述硬掩膜层为掩膜对所述半导体衬底进行刻蚀，在所述半导体衬底内形成第一沟槽，所述第一沟槽的宽度大于所述硬掩膜层中的开口的宽度；

在所述第一沟槽的表面形成栅氧化层；

淀积第一层多晶硅并以所述硬掩膜层为掩膜对所述第一层多晶硅进行回刻，在所述第一沟槽的侧壁处形成栅极；

以所述硬掩膜层为掩膜对所述栅氧化层和所述半导体衬底进行刻蚀，在所述半导体衬底内形成第二沟槽，所述第二沟槽位于所述第一沟槽下方；

淀积一层氮化硅并回刻，在所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成氮化硅侧墙；

以所述硬掩膜层和所述氮化硅侧墙为掩膜对所述半导体衬底进行刻蚀，在所述半导体衬底内形成第三沟槽，所述第三沟槽位于所述第二沟槽下方；

进行热氧化，在所述第三沟槽的表面形成第一场氧化层；

淀积形成第二场氧化层，所述第二氧化层和所述第一氧化层共同构成半导体功率器件的场氧化层；

淀积第二层多晶硅并回刻，在所述第三沟槽、第二沟槽和第一沟槽内形成屏蔽栅。

2.如权利要求1所述的半导体功率器件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一场氧化层后，先刻蚀掉所述氮化硅侧墙，再淀积形成所述第二场氧化层。

3.如权利要求1所述的半导体功率器件的制造方法，其特征在于，在刻蚀形成所述第三沟槽时，通过增加横向的刻蚀，使得第三沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度。

4.如权利要求1所述的半导体功率器件的制造方法制造的半导体功率器件，其特征在于，包括：

n型漏区；

位于所述n型漏区之上的n型漂移区；

凹陷在所述n漂移区中的栅沟槽，所述栅沟槽自上而下包括栅沟槽上部、栅沟槽中部和栅沟槽下部三部分；

位于所述n型漂移区内且位于所述栅沟槽上部的两侧的p型体区；

位于所述p型体区内的n型源区；

位于所述栅沟槽上部的侧壁处的栅极，所述栅极通过栅氧化层与所述p型体区隔离；

位于所述栅沟槽下部内的屏蔽栅，所述屏蔽栅自下而上延伸至所述栅沟槽上部内，所述屏蔽栅通过场氧化层与所述n型漂移区和所述栅极隔离。

5.如权利要求4所述的半导体功率器件，其特征在于，所述栅沟槽上部的宽度大于所述栅沟槽中部的宽度。

6.如权利要求4所述的半导体功率器件，其特征在于，所述栅沟槽下部的宽度大于所述栅沟槽中部的宽度。

7.如权利要求4所述的半导体功率器件，其特征在于，所述栅沟槽下部内的场氧化层的厚度大于所述栅沟槽上部和所述栅沟槽中部内的场氧化层的厚度。

8.如权利要求4所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括位于所述栅沟槽上部和所述栅沟槽中部内的氮化硅侧墙，所述氮化硅侧墙在所述栅沟槽上部内将所述场氧化层于所述栅极隔离，所述氮化硅侧墙在所述栅沟槽中部内将所述场氧化层与所述n型漂移区隔离。