[发明专利]一种半导体芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201911150767.1 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN112028012A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张显良;赵洪波;李志超 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 张立君 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种半导体芯片的制造方法，步骤包括提供晶圆，晶圆上形成有膜层；提供第一精细金属掩模版，将第一精细金属掩模版与膜层临时键合；以第一精细金属掩模版为掩模，刻蚀膜层，形成第一功能层和第二功能层；将第一精细金属掩模版与功能层解键合。本发明通过临时键合精细金属掩模版作为掩模，刻蚀膜层，形成厚度不同的功能层，刻蚀完毕进行解键合工艺。由于避免了通常的光刻胶掩模、剥离光刻胶，而引发功能层损伤，临时键合精细金属掩模版做掩模，功能层损伤小，提高器件性能。该精细金属掩模版解键合后可继续用于其他晶圆功能层的掩膜，重复利用，大大降低的制程成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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