[发明专利]一种半导体芯片的制造方法

说明书

一种半导体芯片的制造方法，步骤包括提供晶圆，晶圆上形成有膜层；提供第一精细金属掩模版，将第一精细金属掩模版与膜层临时键合；以第一精细金属掩模版为掩模，刻蚀膜层，形成第一功能层和第二功能层；将第一精细金属掩模版与功能层解键合。本发明通过临时键合精细金属掩模版作为掩模，刻蚀膜层，形成厚度不同的功能层，刻蚀完毕进行解键合工艺。由于避免了通常的光刻胶掩模、剥离光刻胶，而引发功能层损伤，临时键合精细金属掩模版做掩模，功能层损伤小，提高器件性能。该精细金属掩模版解键合后可继续用于其他晶圆功能层的掩膜，重复利用，大大降低的制程成本。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体芯片的制造方法。

背景技术

随着4G/5G应用的普及，消费者对电子产品功能多样化需求大大提高。MEMS器件作为一种复杂性的元件，用来实现更多功能，在消费类电子应用中起着重要作用。滤波器作为一种选频元件，用来抑制噪声、选择或限定RF/微波信号的频段范围，在许多RF/微波应用中起着重要的作用。

传统的MEMS/滤波器体积大、制造成本高，并且不容易与单片集成电路集成，目前实现高性能、小尺寸、低成本的制造工艺，将进一步契合消费者的需求。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体芯片的制造方法，在提高芯片性能的同时，减小芯片尺寸、降低制造成本。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体芯片的制造方法，包括步骤：

提供晶圆，所述晶圆上形成有膜层，所述膜层包括芯片尺寸的第一区域，和第二区域，所述第一区域用于形成第一功能层，所述第二区域用于形成第二功能层；

提供第一精细金属掩模版，将所述第一精细金属掩模版与所述膜层临时键合，所述第一精细掩膜版具有第一开口和第一遮挡部，所述第一开口定义所述第一功能层的区域，所述第一遮挡部定义第二功能层的区域；

以所述第一精细金属掩模版为掩模，刻蚀所述膜层，形成第一功能层和第二功能层，所述第一功能层的厚度小于所述第二功能层的厚度；

将所述第一精细金属掩模版与所述功能层解键合。

可选的，膜层包括体声波谐振器的上电极材料层、下电极材料层或压电材料层的一种或组合。

可选的，芯片尺寸范围包括半导体芯片尺寸的0.8至1.2倍。

可选的，芯片尺寸的范围大于或等于50μm。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明通过临时键合精细金属掩模版作为掩模，刻蚀晶圆上膜层，形成厚度不同的功能层，刻蚀完毕进行解键合工艺。由于避免了通常的光刻胶掩模、剥离光刻胶，而引发功能层损伤，临时键合精细金属掩模版做掩模，功能层损伤小，提高器件性能。该精细金属掩模版解键合后可继续用于其他晶圆膜层的掩膜，重复利用，大大降低的制程成本。

通过临时键合精细金属掩模版作为掩模，对体声波谐振器的上电极材料层、下电极材料层或压电材料层做刻蚀，该功能层损伤小，提高体声波谐振器性能；在一片晶圆上得到不同厚度的上电极、下电极或压电层，厚度改变实现频率改变，级联若干个不同频率的体声波谐振器就可设计出满足无线通信要求的射频滤波器，级联方式简单，射频滤波器制造尺寸小。

附图说明

图1是本发明半导体芯片的制造方法流程图；

图2至图6是本发明半导体芯片的制造方法一实施例中各步骤对应的结构示意图；

图3A是本发明半导体芯片的制造方法一实施例中夹扣方式的结构示意图；

图7是本发明半导体芯片的制造方法一实施例解键合后结构示意图；