[发明专利]半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途有效
| 申请号： | 201911139127.0 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110828649B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 王哲明;范亚明;陈扶;黄宏娟;赵佳豪;云小凡;张晓东;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H10N10/85 | 分类号： | H10N10/85;H10N10/10;H01L23/38 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途。所述半导体制冷结构，包括主要由至少一个P型半导体和至少一个N型半导体电连接组成的回路，所述P型半导体包括一个以上共振态掺杂的P型AlGaN/GaN超晶格结构，所述超晶格结构所含受主包括Mg离子。本发明实施例提供的一种基于共振态掺杂实现的半导体制冷器，以P‑AlGaN/GaN超晶格阵列的方式来进行半导体制冷；其中，P‑AlGaN/GaN是基于共振态即自电离态进行的P‑N结超晶格结构，且不依赖其厚度的极化效应，且自电离效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制冷 结构 及其 smar 校正 领域 用途 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911139127.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种通信电子元件绝缘除尘装置
- 下一篇：半干法喷补料及其制备方法与应用
