[发明专利]一种高纯度氧化镓制备新工艺在审
申请号: | 201911136380.0 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN110655104A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 卢鹏荐;曾小龙;张林;范永志;李科 | 申请(专利权)人: | 武汉拓材科技有限公司 |
主分类号: | C01G15/00 | 分类号: | C01G15/00 |
代理公司: | 31253 上海精晟知识产权代理有限公司 | 代理人: | 汤蔚莉 |
地址: | 436000 湖北省鄂州*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及氧化镓制备技术领域,尤其是一种高纯度氧化镓制备新工艺,包括对金属镓的清洗、金属镓的加热融化、溶液的反应、多次偏析法提纯以及烘干焙烧。本发明制备的Ga | ||
搜索关键词: | 制备 金属镓 偏析法 氧化镓 提纯 焙烧 制备技术领域 加热融化 经济支出 工艺流程 对设备 高纯度 新工艺 烘干 减小 清洗 | ||
【主权项】:
1.一种高纯度氧化镓制备新工艺,其特征在于,包括如下步骤:/nS1、选择100克金属镓,对金属镓的外表面进行冲洗,冲洗后将金属镓进行烘干;/nS2、将S1步骤后的金属镓,加热至28-35摄氏度,带金属镓完全溶解成液态时,将液态的金属镓倒入盛有稀硫酸的1.5L石英坩埚内进行反应,反应时间控制在10-15分钟;/nS3、在完成S2步骤后,石英坩埚内出现硫酸镓溶液,向溶液中添加化学纯硫酸镓铵溶液,并用玻璃棒进行顺时针搅拌,将温度调节至42-45摄氏度,搅拌3分钟以后停止加热,让溶液冷却至室温;/nS4、对S3中形成的溶液进行2-4次的偏析法提纯;/nS5、对S4中生成的晶体进行烘干处理;/nS6、在对晶体烘干之后,将晶体放置在坩埚内进行焙烧,焙烧的温度控制在132-145摄氏度范围内,焙烧1-2小时后,即得到纯化后的氧化镓晶体。/n
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