[发明专利]一种利用栅隔离技术提高电路系统ESD防护性能的方法有效
| 申请号： | 201911132334.3 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN111223855B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 梁海莲;许强;顾晓峰 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 林娟 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用栅隔离技术提高电路系统ESD防护性能的方法，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域。本发明可用于瞬态电压抑制或ESD保护器件，所述器件包括P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第一多晶硅栅以及其覆盖的第一薄栅氧化层、第二多晶硅栅以及其覆盖的第二薄栅氧化层、第三多晶硅栅以及其覆盖的第三薄栅氧化层、第四多晶硅栅以及其覆盖的第四薄栅氧化层、第五多晶硅栅以及其覆盖的第五薄栅氧化层、第六多晶硅栅以及其覆盖的第六薄栅氧化层。本发明利用了栅隔离技术，提高维持电压，增强器件在ESD防护或抗浪涌过程中的抗闩锁性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 隔离 技术 提高 电路 系统 esd 防护 性能 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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