[发明专利]一种非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件在审
| 申请号： | 201911127582.9 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN110828555A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 胡盛东;安俊杰 | 申请（专利权）人： | 重庆大学;安俊杰 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件领域，涉及一种非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件，包括依次线性布置的漏极金属、N型衬底层、N型漂移区、N型载流子扩散区、P型沟道层、源极金属；还包括与源极金属连通的槽型栅电极、槽型源电极以及N型源区；所述槽型源电极包括源极P型多晶硅；所述槽型栅电极和槽型源电极上设有P保护层；所述源极P型多晶硅与N型载流子扩散区采用异质结二极管结构。本发明在槽型栅电极和槽型源电极上分别使用P保护层的同时，在槽型源电极中布置源极P型多晶硅，能有效降低器件的导通压降、增加器件的击穿电压以及降低器件的开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 异质结 碳化硅 槽型场氧 功率 mos 器件 | ||
【主权项】：
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