[发明专利]串联电阻更小的大规模交叉开关矩阵在审
申请号: | 201911120042.8 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN111199991A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 葛宁 | 申请(专利权)人: | 特忆智能科技 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L27/22;H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;H01L45/00 |
代理公司: | 北京康达联禾知识产权代理事务所(普通合伙) 11461 | 代理人: | 罗延红 |
地址: | 美国加利福尼亚州纽瓦克市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开披露了用于减小串联电阻的技术。一种示例性方法包括:在临时基片上形成第一层;在第一层上形成第二层;蚀刻第一层和第二层以形成沟槽;经由沟槽电镀上电极,其中上电极部分形成于第二层的上表面;去除第一层和第二层;在临时基片和上电极上形成可固化层;从可固化层和上电极上去除临时基片;在可固化层和上电极上形成交叉点器件;在交叉点器件上形成下电极;在下电极上形成柔性基片。 | ||
搜索关键词: | 串联 电阻 大规模 交叉 开关 矩阵 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的