[发明专利]串联电阻更小的大规模交叉开关矩阵

说明书

本公开披露了用于减小串联电阻的技术。一种示例性方法包括：在临时基片上形成第一层；在第一层上形成第二层；蚀刻第一层和第二层以形成沟槽；经由沟槽电镀上电极，其中上电极部分形成于第二层的上表面；去除第一层和第二层；在临时基片和上电极上形成可固化层；从可固化层和上电极上去除临时基片；在可固化层和上电极上形成交叉点器件；在交叉点器件上形成下电极；在下电极上形成柔性基片。

技术领域

本公开涉及串联电阻更小的大规模交叉开关电路，更具体地说,是涉及通过采用电镀和接合工艺制造的高纵横比电极来减小柔性交叉开关电路中的串联电阻。

背景技术

交叉开关矩阵可包括相互交叉的横行电极和纵列电极(或其他电极)，在交叉点处形成交叉点器件。交叉开关电路可用于代码比较器、神经网络或其他应用(例如可穿戴设备)中。

在柔性基片上形成大规模交叉开关电路，减小串联电阻仍然是一项技术挑战。

发明内容

本公开披露了制造串联电阻更小的大规模交叉开关矩阵的方法，更具体地说,是涉及交叉开关电路中的电极和柔性基片的设计。

一种装置，包括：多个上电极；以及连接多个上电极的多个交叉点器件，其中多个上电极中的每一个均包括顶部和尾部(在截面图中)，顶部宽于尾部。

在一些实施中，顶部在截面图中为圆顶形。

在一些实施中，尾部在截面图中为梯形。

在一些实施中，多个上电极中的每一个在截面图中均为钉形。

在一些实施中，多个上电极包括多个行电极和/或列电极。

在一些实施中，多个交叉点器件中的每一个均包括忆阻器。

在一些实施中，尾部的底部宽度为纳米级至微米级，多个上电极中的每一个的高度均为微米级。

在一些实施中，尾部的底部宽度与多个上电极中的每一个的高度之比均小于1。

在一些实施中，该装置还包括在多个交叉点器件上形成的下电极。

在一些实施中，该装置还包括在下电极上形成的柔性基片。

在一些实施中，柔性基片的材料包括聚合物、塑料、橡胶、树脂或其组合。

在一些实施中，忆阻器包括：忆阻系统、浮栅器件、相变随机存取存储器(PCRAM)器件、电阻式随机存取存储器(RRAM或ReRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)或带可调电阻的任何器件。

一种方法包括：在临时基片上形成第一层；在第一层上形成第二层；蚀刻第一层和第二层以形成沟槽；经由沟槽电镀上电极，其中上电极部分形成于第二层的上表面；去除第一层和第二层；在临时基片和上电极上形成可固化层；从可固化层和上电极上去除临时基片；在可固化层和上电极上形成交叉点器件；在交叉点器件上形成下电极；在下电极上形成柔性基片。

在一些实施中，可固化层包括：可热固化层、可光固化层、可紫外线(UV)固化层、可辐射固化层或任何能够从液相转变为固相的层。

在一些实施中，在可固化层和上电极上形成交叉点器件包括：形成交叉点器件；以及将交叉点器件接合到可固化层和上电极上。

在一些实施中，在可固化层和上电极上形成交叉点器件还包括：在将交叉点器件接合到可固化层和上电极上之前，在交叉点器件上形成接合层。

在一些实施中，从可固化层和上电极上去除临时基片的步骤还包括：从临时基片上剥离可固化层和上电极。

附图说明

图1是方框图，根据本公开的一些实施例，展示了示例性交叉开关电路。