[发明专利]串联电阻更小的大规模交叉开关矩阵

权利要求书

1.一种装置，包括：

多个上电极；以及

连接多个上电极的多个交叉点器件，其中多个上电极中的每一个均包括顶部和尾部，顶部宽于尾部。

2.如权利要求书1中所述装置，其中多个上电极包括多个行电极和/或多个列电极。

3.如权利要求书1中所述装置，其中顶部为圆顶形。

4.如权利要求书1中所述装置，其中尾部为梯形。

5.如权利要求书1中所述装置，其中多个上电极中的每一个均为钉形。

6.如权利要求书1中所述装置，其中还包括：

在多个交叉点器件上形成的下电极。

7.如权利要求书1中所述装置，其中尾部的底部宽度为纳米级至微米级，多个上电极中的每一个的高度均为微米级。

8.如权利要求书6中所述装置，其中尾部的底部宽度与多个上电极中的每一个的高度之比均小于1。

9.如权利要求书8中所述装置，其中还包括：在下电极上形成的柔性基片。

10.如权利要求书9中所述装置，其中柔性基片的材料包括聚合物、塑料、橡胶、树脂或其组合。

11.如权利要求书1中所述装置，其中多个交叉点器件中的每一个均包括忆阻器。

12.如权利要求书11中所述装置，其中忆阻器包括：忆阻系统、浮栅器件、相变随机存取存储器(PCRAM)器件、电阻式随机存取存储器(RRAM或ReRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)或带可调电阻的任何器件。

13.一种方法包括：

在临时基片上形成第一层；

在第一层上形成第二层；

蚀刻第一层和第二层以形成沟槽；

经由沟槽电镀上电极，其中上电极部分形成于第二层的上表面；

去除第一层和第二层；

在临时基片和上电极上形成可固化层；从可固化层和上电极上去除临时基片；在可固化层和上电极上形成交叉点器件；在交叉点器件上形成下电极；在下电极上形成柔性基片。

14.根据权利要求13中所述方法，其中可固化层包括：可UV固化层、可热固化层、可光固化层或可辐射固化层。

15.根据权利要求13中所述方法，其中在可固化层和上电极上形成交叉点器件包括：

形成交叉点器件；以及

将交叉点器件接合到可固化层和上电极上。

16.根据权利要求13中所述方法，其中在可固化层和上电极上形成交叉点器件的步骤还包括：

在将交叉点器件接合到可固化层和上电极上之前，在交叉点器件上形成接合层。

17.根据权利要求13中所述方法，从可固化层和上电极上去除临时基片的步骤还包括：从临时基片上剥离可固化层和上电极。