[发明专利]无衬底光电混合集成结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911111229.1 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110828443A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 隗娟;刘丰满;曹立强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/50;H01S5/062 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无衬底光电混合集成结构及其制备方法，该结构包括：硅光芯片，具有光芯片传输线层及与该光芯片传输线层相连接的引脚，且该硅光芯片无衬底；电芯片，倒装贴装于该硅光芯片上，该电芯片与该硅光芯片通过一光电芯片互连层电性相连；塑封层，覆盖于电芯片周围；过孔，其两端分别连接光芯片传输线层和表面/底面金属焊盘；以及，该表面/底面金属焊盘，设置于硅光芯片和/或塑封层的外表面。本发明提供的该无衬底光电混合集成结构及其制备方法，无需进行TSV工艺，降低了工艺难度，提高了成品率；消除了硅衬底寄生参数的影响，可以有效改善硅光器件的高频性能；对于边耦合方式，无需制作悬臂梁结构便可实现较高的耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 光电 混合 集成 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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