[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201911084464.4 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110752276B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 毕东升;徐凯;蔡家豪;黄照明;张家豪 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体领域，尤其涉及发光二极管及其制作方法。其中发光二极管至少包括衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层、电流阻挡层、透明导电层以及第一电极和第二电极。本发明通过在第二导电型半导体层设置凹槽，将电流阻挡层放置于凹槽中，增加其牢固性，改善碎裂异常。同时，设置电流阻挡层的顶面不高于第二导电型半导体层的表面，使覆盖于其表面的透明导电层与其接触处无台阶，呈平坦状，从而促进电流的扩展，提高抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.发光二极管，至少包括衬底，依次层叠于所述衬底之上的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，透明导电层，以及分别与第一导电型半导体层电性连接的第一电极和与第二导电型半导体层电性连接的第二电极，其特征在于：所述第二导电型半导体层表面具有与第二电极位置对应的凹槽，凹槽内设置电流阻挡层，所述电流阻挡层的顶面不高于第二导电型半导体层的表面，截面宽度小于第二电极的截面宽度，所述第二电极通过透明导电层与第二导电型半导体层电性连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽三安光电有限公司，未经安徽三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911084464.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管芯片以及其制备方法
- 下一篇：用于发光二极管的图案化基板
