[发明专利]发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.发光二极管，至少包括衬底，依次层叠于所述衬底之上的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，透明导电层，以及分别与第一导电型半导体层电性连接的第一电极和与第二导电型半导体层电性连接的第二电极，其特征在于：所述第二导电型半导体层表面具有与第二电极位置对应的凹槽，凹槽内设置电流阻挡层，所述电流阻挡层的顶面不高于第二导电型半导体层的表面，截面宽度小于第二电极的截面宽度，所述第二电极通过透明导电层与第二导电型半导体层电性连接。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述电流阻挡层包括覆盖凹槽侧壁的第一电流阻挡层和覆盖凹槽底部的第二电流阻挡层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：至少所述第一电流阻挡层的顶面与第二导电型半导体层的表面齐平。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电流阻挡层和第二电流阻挡层的顶面均与第二导电型半导体层的表面齐平。

5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电流阻挡层的顶面与第二导电型半导体层的表面齐平，第二电流阻挡层的顶面低于第二导电型半导体层的表面，所述电流阻挡层的中间部分形成凹陷部。

6.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层覆盖第一电流阻挡层和第二电流阻挡层的表面，且接触面为平坦状。

7.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层覆盖第一电流阻挡层的表面，且接触面为平坦状。

8.根据权利要求6或7所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层具有开口，所述开口的截面宽度小于电流阻挡层的截面宽度，使所述透明导电层至少覆盖第一电流阻挡层的表面。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：所述开口的截面宽度大于或等于第二电流阻挡层的截面宽度，使所述透明导电层覆盖第一电流阻挡层的表面。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述电流阻挡层为绝缘介质层。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述电流阻挡层为氧化铝层、氧化硅层、氮化硅层、碳化硅层。

12.发光二极管的制作方法，至少包括以下步骤：

步骤1、提供一衬底，于所述衬底上依次生长第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层；

步骤2、刻蚀部分第二导电型半导体层形成凹槽；

步骤3、于所述凹槽内沉积电流阻挡层，所述电流阻挡层的顶面不高于第二导电型半导体层的表面；

步骤4、于所述第二导电型半导体层和电流阻挡层表面沉积透明导电层；

步骤5、分别制作第一电极和第二电极，所述第一电极与第一导电型半导体层电性连接，第二电极与第二导电型半导体层电性连接，其中电流阻挡层的截面宽度小于第二电极的截面宽度。

13.根据权利要求12所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：还包括刻蚀第二导电型半导体层至第一导电层半导体层形成台阶的步骤，所述第一电极位于台阶的表面，与第一导电层半导体层电性连接。

14.根据权利要求12所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤2的刻蚀方法包括干法刻蚀、湿法刻蚀或者两者的组合。

15.根据权利要求12所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤3中的电流阻挡层采用气相沉积法、磁控溅射法或者化学镀膜法制成。