[发明专利]新型GaN结势垒肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201911050585.7 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110752260A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;刘新科;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 22214 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李青 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 新型GaN结势垒肖特基二极管及其制备方法利用新颖的设计及相对简单易达成的工艺为提高肖特基二极管的性能提供了新途径。新型GaN结势垒肖特基二极管，二极管由下到上依次包括：阴极、衬底、n | ||
| 搜索关键词： | 结势垒肖特基二极管 高阻区 梳状 阴极 等离子体形成 反向击穿电压 肖特基二极管 正向导通电阻 二极管 阳极 电极边缘 工艺难度 击穿性能 欧姆接触 有效抑制 新途径 再生长 击穿 衬底 外沿 制备 激活 | ||
【主权项】：
1.新型GaN结势垒肖特基二极管，其特征在于，二极管由下到上依次包括：阴极、衬底、n
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