[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201911046066.3 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111128886A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杨正宇;陈彦廷;李威养;杨丰诚;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琛;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 此处说明包含具有切割金属栅极的鳍状场效晶体管的半导体装置与半导体装置的形成方法。方法包括形成切割金属栅极保护盖结构于半导体基板中的切割金属栅极虚置栅极插塞的顶部。切割金属栅极保护盖结构避免切割金属栅极区中的虚置填充材料消耗与损伤，亦避免蚀刻工艺时形成不想要的聚合物及/或残留副产物于鳍状场效晶体管的外延区上表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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