[发明专利]一种降低SOI硅片应力的制备方法

摘要

本发明提供一种降低SOI硅片应力的制备方法，包括：对第一硅片进行氧化，得具有氧化层的第一硅片；将具有氧化层的第一硅片注入氢离子，使用浓硫酸和双氧水混合液、SC1和SC2清洗，得注入后的第一硅片；对注入后的第一硅片进行第一低温退火处理，使用SC1、SC2清洗，得处理后的第一硅片；使用SC1、SC2清洗第二硅片，将清洗后的第二硅片与处理后的第一硅片常温下进行键合以及第二低温退火处理，得键合片；对键合片进行裂片，得SOI；采用化学机械抛光去除500～2000A的SOI膜厚，即得。本发明的降低SOI硅片应力的制备方法，通过注入后低温退火来减小SOI硅片内部的应力，从而制备出弯曲度值小的SOI硅片。

主权项

1.一种降低SOI硅片应力的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：/n在氢气、氧气氛围里，以850～1150℃的温度对第一硅片进行氧化，得到所述具有氧化层的第一硅片；/n将所述具有氧化层的第一硅片注入氢离子，注入深度为500～10000A；注入后依次使用3:1～5:1的浓硫酸和双氧水混合液、SC1和SC2清洗1～60min，得所述注入后的第一硅片；/n对所述注入后的第一硅片进行第一低温退火处理，然后使用SC1、SC2清洗1～60min，得到处理后的第一硅片；其中，所述第一低温退火处理的条件为：采用氮气保护，气体流量5～20L/min，退火温度100～400℃，退火时间0.5～5h；/n使用SC1、SC2对第二硅片清洗1～60min，然后将清洗后的第二硅片与所述处理后的第一硅片在常温下进行键合以及第二低温退火处理，得到键合片；其中，所述键合的条件为：离子激活时间为0～30s；所述第二低温退火处理的条件为：100～350℃，氮气流量为1～10L/min，退火时间0.5～5h；/n对所述键合片进行裂片，得到SOI；/n采用化学机械抛光去除500～2000A的所述SOI的膜厚，得到弯曲度值小于10的SOI。/n