[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201911017015.8 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN111106060A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 杨士亿;李明翰;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 傅磊;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体装置的形成方法，包括：在一介电层中形成一沟槽，上述沟槽包括一互连部与一通孔部，上述通孔部暴露出一下层的导体特征部件。上述方法还包括：在上述沟槽中沉积一种子层；在上述种子层上沉积一碳层；施行一碳溶解工艺，而将一石墨烯层形成于上述种子层与上述下层的导体特征部件之间；以及以一导体材料填入上述沟槽的剩余部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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