[发明专利]化学气相沉积设备及导流盘在审
| 申请号： | 201911012145.2 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN111118474A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 陈焕杰;王超群;吴至彧;蒯光国 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及化学气相沉积设备及导流盘。本发明实施例提供一种导流盘，其包含：盘体，其具有多个贯穿孔；第一区，其从中心到所述盘体的第一半径，具有第一电导；第二区，其从所述第一半径到所述盘体的第二半径，具有第二电导；第三区，其从所述第二半径到所述盘体的第三半径，具有第三电导，其中所述第一半径小于所述第二半径，所述第二半径小于所述第三半径，且所述第二电导大于所述第一电导。还公开一种包含所述导流盘的化学气相沉积CVD设备。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 设备 导流 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
