[发明专利]化学气相沉积设备及导流盘

说明书

本发明实施例涉及化学气相沉积设备及导流盘。本发明实施例提供一种导流盘，其包含：盘体，其具有多个贯穿孔；第一区，其从中心到所述盘体的第一半径，具有第一电导；第二区，其从所述第一半径到所述盘体的第二半径，具有第二电导；第三区，其从所述第二半径到所述盘体的第三半径，具有第三电导，其中所述第一半径小于所述第二半径，所述第二半径小于所述第三半径，且所述第二电导大于所述第一电导。还公开一种包含所述导流盘的化学气相沉积CVD设备。

技术领域

本发明实施例是有关化学气相沉积设备及导流盘。

背景技术

各种固态装置的制造要求使用平面衬底或其上装配有集成电路的半导体晶片。在IC 制造工艺结束时晶片上的功能集成电路的最终数目或合格率对于半导体制造商来说至关重要，且晶片上的电路的合格率的提高为半导体制造的主要目标。在封装之后，晶片上的电路经测试，其中非功能裸片使用上墨工艺标记且晶片上的功能裸片经分离及出售。IC制造者通过利用规模经济来提高晶片上的裸片的合格率。从六到十二英寸直径测量的单晶片上可形成超过1000个裸片。

在半导体生产业界中，使用各种处理步骤以在半导体晶片上制造集成电路。此些步骤包含不同材料层的沉积(所述层包含晶片衬底上的金属化层、钝化层及绝缘层)，以及光阻剥离及侧壁钝化聚合物层去除。举例来说，在现代存储器装置中，需要金属导体的多个层以在限定晶片上的电路时提供多层金属互连结构。半导体装置业界的当前努力为生产具有大小不断减小的密度越来越大的集成电路的半导体。此些目标是通过按比例缩小电路构件的大小的横向及竖直尺寸二者来达成。竖直按比例缩小要求晶片上的导电及绝缘膜的厚度减小对应于电路构件的横向尺寸的收缩的程度。在新兴小型/快速装置技术中，超薄装置构件将变得对半导体集成电路的制造来说越来越必不可少。

化学气相沉积(CVD)工艺广泛地用于形成半导体晶片上的材料层。CVD工艺包含其中气体与半导体晶片衬底的经加热表面反应的热沉积工艺，以及其中气体经受电磁能量以便使气体转化成更具反应性的等离子体的等离子体增强型CVD工艺。形成等离子体可降低在晶片衬底上沉积层所需的温度，提高层沉积的速率，或两者兼得。其它CVD 工艺包含APCVD(大气压化学气相沉积)及LPCVD(低压化学气相沉积)。尽管APCVD系统具有较高仪器产出率、良好均一性及处理大直径晶片的能力，但APCVD系统消耗大量工艺气体并且通常呈现较差的步阶覆盖。目前，LPCVD相比于APCVD更常使用，这是因为其成本更低、生产产出率更高且膜性质优良。LPCVD通常用于在晶片表面上沉积氮化物、TEOS氧化物及多晶硅膜以用于前段(FEOL)工艺。

发明内容

本发明的一实施例是关于一种导流盘，其包括：盘体，其具有多个贯穿孔；第一区，其从中心到所述盘体的第一半径，具有第一贯穿孔密度；第二区，其从所述第一半径到所述盘体的第二半径，具有第二贯穿孔密度；第三区，其从所述第二半径到所述盘体的第三半径，具有第三贯穿孔密度，其中所述第一半径小于所述第二半径，所述第二半径小于所述第三半径，且所述第二贯穿孔密度大于所述第一贯穿孔密度。

本发明的一实施例是关于一种导流盘，其包括：盘体，其具有多个贯穿孔；第一区，其从中心到所述盘体的第一半径，具有第一电导；第二区，其从所述第一半径到所述盘体的第二半径，具有第二电导；第三区，其从所述第二半径到所述盘体的第三半径，具有第三电导，其中所述第一半径小于所述第二半径，所述第二半径小于所述第三半径，且所述第二电导大于所述第一电导。

本发明的一实施例是关于一种化学气相沉积(CVD)设备，其包括：衬底固持器；喷洒头，其位于所述衬底固持器上方；及导流盘，其位于所述喷洒头上方，其中所述喷洒头与所述衬底固持器之间的距离为所述导流盘到所述喷洒头之间的距离的6到8.5倍，且其中所述导流盘包括：第一区，其从中心到第一半径，具有第一电导；第二区，其从所述第一半径到第二半径，具有第二电导；及第三区，其从所述第二半径到第三半径，具有第三电导，所述第一电导大于所述第三电导且小于所述第二电导。

附图说明