[发明专利]一种在碳化硅材料上制造栅氧化层的方法在审
| 申请号： | 201911006234.6 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110783173A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 费晨曦;何志强;柏松;黄润华;刘昊;王谦 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 32200 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙淑君 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在碳化硅材料上制造栅氧化层的方法，包括以下步骤：(1)在第一温度下，氧气气氛中，在碳化硅衬底表面形成氧化层；(2)在第二温度下，氩气气氛中，将步骤(1)中形成氧化层的碳化硅衬底进行第一次高温热退火处理；(3)在第三温度下，在湿氧气气氛中，将步骤(2)中形成氧化层的碳化硅衬底进行湿氧气再氧化处理；(4)在第二温度下，一氧化氮气氛或者一氧化二氮气氛中，将步骤(3)中形成氧化层的碳化硅衬底进行第二次高温热退火处理；(5)将温度降低至执行卸载工艺所要求的温度，将步骤(4)中形成氧化层的碳化硅衬底卸载。本发明提供的栅氧化层的制造方法，能够有效降低界面态密度以及氧化层固定电荷数量，从而提高栅氧化层的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化层 碳化硅 衬底 栅氧化层 次高温 热退火 湿氧气 卸载 界面态密度 碳化硅材料 一氧化二氮 衬底表面 固定电荷 温度降低 氧气气氛 一氧化氮 氩气气氛 再氧化 制造 | ||
【主权项】：
1.一种在碳化硅材料上制造栅氧化层的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)在第一温度下，氧气气氛中，在碳化硅衬底表面形成氧化层；/n(2)在第二温度下，氩气气氛中，将步骤(1)中形成氧化层的碳化硅衬底进行第一次高温热退火处理；/n(3)在第三温度下，在湿氧气气氛中，将步骤(2)中形成氧化层的碳化硅衬底进行湿氧气再氧化处理；/n(4)在第二温度下，一氧化氮气氛或者一氧化二氮气氛中，将步骤(3)中形成氧化层的碳化硅衬底进行第二次高温热退火处理；/n(5)降低温度，将步骤(4)中形成氧化层的碳化硅衬底卸载。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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