[发明专利]形成具有倾斜侧壁的材料层的方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201910981927.0 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN110828307A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 钟荣祥;王珏;陈政;钟志鸿;武凌 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/027 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成具有倾斜侧壁的材料层的方法及半导体器件。该方法包括：在第一薄膜上形成底层光刻胶和顶层光刻胶；顶层光刻胶与底层光刻胶均为正胶，底层光刻胶比顶层光刻胶的光敏度低；或底层光刻胶与顶层光刻胶均为负胶，底层光刻胶的光敏度比顶层光刻胶的光敏度高；曝光、显影后形成光刻层，刻蚀第一薄膜形成侧壁倾角小于等于80度的材料层。本方法避免了在材料层形成后沉积二氧化硅时材料层侧壁沉积的二氧化硅偏薄，后续湿法工艺去除多余的二氧化硅时，腐蚀液钻蚀到材料层下方形成空洞的问题，以及材料层形成后溅射金属薄膜，刻蚀去除多余的金属薄膜时侧壁金属薄膜的残留问题，提高了器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 倾斜 侧壁 材料 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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