[发明专利]形成具有倾斜侧壁的材料层的方法及半导体器件

权利要求书

1.一种形成具有倾斜侧壁的材料层的方法，包括：

获取衬底，所述衬底上形成有第一薄膜；

在所述第一薄膜上形成底层光刻胶；

在所述第一薄膜上形成顶层光刻胶；所述顶层光刻胶与所述底层光刻胶均为正胶，所述底层光刻胶的光敏度比所述顶层光刻胶的光敏度低；或所述顶层光刻胶与所述底层光刻胶均为负胶，所述底层光刻胶的光敏度比所述顶层光刻胶的光敏度高；

对所述底层光刻胶和所述顶层光刻胶进行曝光、显影，形成光刻层；

刻蚀所述第一薄膜并去除所述光刻层形成侧壁倾角小于等于80度的材料层；

其中，所述侧壁倾角是指所述材料层侧壁与所述材料层底部的夹角。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一薄膜的步骤包括：

通过控制刻蚀工艺对所述第一薄膜和所述光刻层的刻蚀选择比，使得在刻蚀所述第一薄膜过程中所述光刻层被部分刻蚀，从而使得所述材料层的侧壁形成具有小于等于80度侧壁倾角的形貌；

对剩余的光刻层进行去胶处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述顶层光刻胶的厚度大于所述底层光刻胶的厚度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底层光刻胶的厚度大于等于0.7微米且小于等于1.5微米，所述顶层光刻胶的厚度大于3微米且小于5微米。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述材料层为多晶硅层，所述材料层的侧壁倾角大于等于50度。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述材料层为多晶硅层，所述侧壁倾角为大于等于60度小于等于70度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光的曝光能量大于临界曝光能量且小于等于临界曝光能量的1.2倍，所述临界曝光能量指的是所述底层光刻胶与所述顶层光刻胶均能曝光的临界能量。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述材料层为多晶硅层，所述刻蚀为感应耦合等离子体刻蚀，所述感应耦合等离子体刻蚀的工艺气体包括氧气，所述工艺气体还至少包括氯气、六氟化硫、四氟化碳中的一种，或所述工艺气体至少包括溴化氢、四氟化碳、三氟甲烷中的一种。

9.一种半导体器件，包括衬底、多晶硅层，其特征在于，所述多晶硅层是通过权利要求1-8任一项所述的方法形成的具有倾斜侧壁的多晶硅层。

10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述多晶硅层为多晶硅栅。