[发明专利]基于低功函数阳极金属的低开启电压GaN微波二极管及制备方法有效
| 申请号： | 201910976638.1 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110729362B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 张进成;党魁;周弘;张涛;张苇杭;宁静;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L29/417;H01L21/329 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于低功函数阳极金属的低开启电压GaN微波二极管及制备方法，主要解决GaN微波二极管开启电压较大的问题。本发明的器件是在AlGaN/GaN外延片上进行，该外延片自下而上为衬底(1)、外延缓冲层(2)、GaN沟道层(3)和AlGaN势垒层(4)，在沟道层及势垒层上设有圆形凹槽(5)，凹槽的外围势垒层上设有环形阴极(6)，AlGaN势垒层上凹槽及阴极以外区域设有介质(7)，凹槽的底部、侧壁以及凹槽边缘介质上设有阳极(8)，阳极采用低功函数金属Mo或W与金属Au叠层。本发明可以显著降低GaN微波二极管开启电压，提高器件性能，可广泛应用于微波整流和微波限幅。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 函数 阳极 金属 开启 电压 gan 微波 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于低功函数阳极金属的低开启电压GaN微波二极管，自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、AlGaN势垒层(4)，其特征在于，在沟道层(3)及势垒层(4)上设有圆形凹槽(5)，凹槽(5)的外围势垒层上设有环形阴极(6)，AlGaN势垒层(4)上凹槽(5)及阴极(6)以外区域设有介质(7)，凹槽(5)的底部、侧壁以及凹槽边缘介质(7)上设有阳极(8)。/n
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