[发明专利]一种太阳能板及用于太阳能板的表面涂层的制备方法在审

申请号：	201810675630.7	申请日：	2018-06-28
公开（公告）号：	CN110729363A	公开（公告）日：	2020-01-24
发明（设计）人：	不公告发明人	申请（专利权）人：	蓝海新技术开发(潍坊)有限公司
主分类号：	H01L31/0216	分类号：	H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/18
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	261061 ***	国省代码：	山东;37
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摘要：	本发明涉及一种太阳能板及用于太阳能板的表面涂层的制备方法。其中，太阳能板包括：板体，用于接收太阳辐射并将太阳能转化为电能或热能；支架，设置于板体的下方和/或周围，用于支承板体；以及表面涂层，涂布于板体的朝向太阳方向的表面，且表面涂层由如下原料组成:乙醇25％‑30％、正丙醇25％‑30％、丙二醇甲醚20％‑25％、非晶硅1％‑5％、甲醇1％‑2％、硝酸0.1％‑0.5％以及水。此外，本发明还提供了一种制备表面涂层的方法。本发明能够有效地减少太阳光反射率和折射率，进而提升太阳能转化效率。因为表面涂层利用化学反应与玻璃盖板一体成型，解决了高温粘合镀膜易剥落问题，提高使用寿命到与电站保持一致，并减少灰尘的附着力，同时有自洁功能。
搜索关键词：	表面涂层太阳能板板体附着力太阳能转化效率接收太阳辐射太阳光反射率制备表面涂层化学反应丙二醇甲醚太阳能转化有效地减少玻璃盖板高温粘合使用寿命太阳方向一体成型原料组成支承板体自洁功能硝酸非晶硅折射率正丙醇乙醇镀膜甲醇支架剥落制备电站
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【主权项】：

1.一种太阳能板，其特征在于包括：/n板体，用于接收太阳辐射并将太阳能转化为电能或热能；/n支架，设置于所述板体的下方和/或周围，用于支承所述板体；以及表面涂层，涂布于所述板体的朝向太阳方向的表面，且所述表面涂层由如下原料组成:/n乙醇25％-30％、正丙醇25％-30％、丙二醇甲醚20％-25％、非晶硅1％-5％、甲醇1％-2％、硝酸0.1％-0.5％以及水。/n

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摘要：本发明涉及一种太阳能板及用于太阳能板的表面涂层的制备方法。其中，太阳能板包括：板体，用于接收太阳辐射并将太阳能转化为电能或热能；支架，设置于板体的下方和/或周围，用于支承板体；以及表面涂层，涂布于板体的朝向太阳方向的表面，且表面涂层由如下原料组成:乙醇25％‑30％、正丙醇25％‑30％、丙二醇甲醚20％‑25％、非晶硅1％‑5％、甲醇1％‑2％、硝酸0.1％‑0.5％以及水。此外，本发明还提供了一种制备表面涂层的方法。本发明能够有效地减少太阳光反射率和折射率，进而提升太阳能转化效率。因为表面涂层利用化学反应与玻璃盖板一体成型，解决了高温粘合镀膜易剥落问题，提高使用寿命到与电站保持一致，并减少灰尘的附着力，同时有自洁功能。

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摘要：本发明属于光电探测器技术领域，具体为一种PN结增强的黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法。本发明红外探测器其结构自上而下依次为前表面电极、前表面钝化层、前表面黑硅层、PN结、硅衬底、背表面黑硅层、肖特基结、背表面电极；该探测器利用黑硅的宽带（紫外‑近红外波段）、高效减反作用来提高红外光吸收率，利用黑硅和金属或金属硅化物间形成的三维肖特基结提高内光电子发射效率，利用PN结提高光生电荷的传输效率，从而提高红外光电响应。

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摘要：本发明公开了一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池及其制备工艺，涉及太阳电池技术领域，本发明包括n型硅衬底，n型硅衬底底部从上到下设置有氧化硅钝化层、本征非晶硅层和背面氮化硅减反层，n型硅衬底底部嵌设有若干条磷源掺杂层，磷源掺杂层底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层、本征非晶硅层和背面氮化硅减反层的背面金属电极层，制备时，在背面氮化硅减反层下表面利用激光开出若干局部槽，局部槽均开至n型硅衬底底部，开槽区域印刷磷源浆料形成高低结结构，提高了双面太阳电池的背面电池的开路电压，开槽磷源浆重掺杂区域与金属电极接触形成欧姆接触，降低串联电阻提高填充因子，在不降低正面效率的情况下，提高电池双面率。

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摘要：本实用新型涉及一种声子激元增强的外尔半金属红外探测器，该探测器包括基底、外尔半金属层、电极、三氧化钼微结构层、电压源、电流表，外尔半金属层和电极置于基底上，外尔半金属层置于两电极间，并与两电极欧姆接触，电压源、电流表、电极、外尔半金属层通过导线连接成回路，在所述外尔半金属层上还设置有三氧化钼微结构层。三氧化钼晶体在红外光激发下，产生声子激元，该声子激元比贵金属表面等离激元具有更低的损耗，对光具有更强的吸收，所以本实用新型具有红外探测效率高等优点。

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发明人：黄志明;胡涛;张志博;张惜月;姚娘娟;马万里;李洋;李敬波;吴彩阳;高艳卿;黄敬国;曲越 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本专利公开了一种硅介质超表面的非制冷红外窄带探测器，所述探测器由氧化铝衬底，金属下电极，锰钴镍氧敏感元，硅介质超表面结构层，以及器件管座组成。通过在锰钴镍氧敏感元上，引入硅介质超表面结构层，作为耦合特定波长的光的引导层，形成导模共振条件，实现整个结构对特定波长光的完美吸收；同时反射非特定波长的光，达到器件窄带探测的效果。本专利结构中，由于硅介质结构层在红外波段具有极弱的吸收系数，吸收主要发生在敏感元部分，可以使得敏感元吸收达到85％左右，光谱曲线的品质因子(Q值)可以高达20，对于提升非制冷红外窄带探测器的探测率和目标识别准确率有着十分重要的意义。

同时模式双波段碲镉汞探测器-201920708752.1
发明人：叶振华;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本专利公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。

一种InAs量子点的远程外延结构及制备与应用-201910899953.9
发明人：李国强;余粤锋;林静;梁敬晗 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本发明属于太阳能电池器件领域，公开了一种InAs量子点的远程外延结构及制备与应用。所述远程外延结构包括依次层叠的GaAs衬底、单层石墨烯层和InAs量子点阵列。其制备方法为：将单层石墨烯转移到GaAs衬底上，然后放入分子束外延系统中，在单层石墨烯层上生长InAs量子点阵列，得到InAs量子点的远程外延结构。本发明通过在砷化镓衬底与砷化铟外延层之间引入单层石墨烯结构，有效阻断了界面的铟原子与镓原子的互扩散，并为量子点的生长提供了平面有序的成核位点，显著提高砷化铟量子点的晶体质量，为砷化铟中间带量子点电池性能的提升提供有效的材料基础。

用于透射电镜原位通电芯片的拥有纳米级间距小电极的材料测试单元制备方法-201810203499.4
发明人：成岩;黄荣;齐瑞娟 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本发明公开了一种用于透射电镜原位通电芯片的拥有纳米级间距小电极的材料测试单元制备方法，其材料测试单元由小尺寸的金属层、绝缘层、测试材料和保护层构成，制备方法采用聚焦离子束(FIB)技术，通过刻蚀在SiO

一种高光电转化效率的太阳能电池-201910886639.7
发明人：王玉明;张杰;朱永生;杨宝海;李敦信 -专利权人：苏州拓升智能装备有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本发明公开了一种高光电转化效率的太阳能电池，包括从上至下依次层叠设置的上透明导电减反膜、P发射极、N型硅片基底、二氧化硅钝化层、掺杂多晶硅薄膜层及下透明导电减反膜，其中，所述上透明导电减反膜的上表面及下透明导电减反膜的下表面分别设有上电极及下电极。根据本发明，其简化了硅体晶电池的制备流程，降低了制备温度，降低了二氧化硅钝化层在高温条件下被掺杂硅薄膜污染的风险，进而提高了电池制备良率。

一种带有热致变色镀膜层的光伏组件-201920723685.0
发明人：朱强忠;刘松民;朱琛;吕俊 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本申请公开了一种带有热致变色镀膜层的光伏组件，包括玻璃基板、太阳能电池片和涂覆于所述玻璃基板上的热致变色镀膜层，所述玻璃基板上的热致变色镀膜层覆盖所述太阳能电池片中的漏电流区域。本申请提供的技术方案，可在保证组件功率的前提下大幅降低组件热斑风险，不仅成本较低，而且较容易实现。

一种碲化镉发电玻璃-201920837464.6
发明人：邵伟明 -专利权人：浙江力晟玻璃科技有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L31/0216
摘要：本实用新型涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种碲化镉发电玻璃，由下往上依次包括玻璃基板、透明氧化层、窗口层、吸收层及背接触电极；所述玻璃基板为厚度为2‑3mm的硼硅玻璃，所述透明氧化层为掺Sn的In

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]一种太阳能板及用于太阳能板的表面涂层的制备方法在审

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