[发明专利]半导体晶片表面温度监控方法有效
| 申请号： | 201910974467.9 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN111048433B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 安钟八 | 申请（专利权）人： | 安钟八;爱捷株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;B24B37/005;B24B49/14;G01J5/00;G01J5/02;G01J5/03;G01J5/04;G01J5/48 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的对晶片表面温度进行实时测量并监控的方法，对研磨垫的表面温度进行实时测量并实时监控，因此可以在清洗工艺中借助于化学反应和摩擦能动地应对晶片表面的不规则的温度变化。本发明的晶片表面温度测量传感器也可以在有从清洗液中产生的烟尘的环境下使用，按照红外线摄像机的各个点分别负责温度，从而能够按照区间校正温度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面温度 监控 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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