[发明专利]一种基于双脉冲测试平台的碳化硅MOSFET的建模方法在审
| 申请号： | 201910966340.2 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110851772A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 李彩林;魏旺 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F17/11 | 分类号： | G06F17/11 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基于双脉冲测试平台的碳化硅MOSFET的建模方法，对传统开关模型进行改进，获得简单精确的开关行为模型，以满足对器件特性进行仿真分析过程中的精确度需求和计算速度的需求。包括如下步骤：（1）搭建双脉冲测试平台；（2）理想状态下碳化硅MOSFET开关过程分析，建立理想状态下的状态空间方程；（3）非理想状态下碳化硅MOSFET开关过程分析，建立非理想状态下的状态空间方程；（4）采用状态变量的差商代替微商的方法对状态方程进行离散化；（5）在MATLAB\simulink中实现模型。通过该建模方法能够建立既简单又精确的碳化硅MOSFET仿真模型，并且建模方法具有通用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 脉冲 测试 平台 碳化硅 mosfet 建模 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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