[发明专利]一种基于双脉冲测试平台的碳化硅MOSFET的建模方法

权利要求书

1.一种基于双脉冲测试平台的碳化硅MOSFET的建模方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)搭建双脉冲测试平台；

(2)理想状态下碳化硅MOSFET开关过程分析，建立理想状态下的状态空间方程；

(3)非理想状态下碳化硅MOSFET开关过程分析，建立非理想状态下的状态空间方程；

(4)采用状态变量的差商代替微商的方法对状态方程进行离散化；

(5)在MATLAB\simulink中实现模型。

2.根据权利要求1所述的本发明提出一种基于双脉冲测试平台的碳化硅MOSFET的建模方法，其特征在于步骤(3)开关过程分析中考虑门极回路和功率回路之间的相互耦合。

3.根据权利要求1所述的本发明提出一种基于双脉冲测试平台的碳化硅MOSFET的建模方法，其特征在于步骤(3)开关过程分析中考虑了沟道电流Ich的非线性特性，结合器件技术文档构建了沟道电流Ich随Vgs变化的模型。

4.根据权利要求1所述的本发明提出一种基于双脉冲测试平台的碳化硅MOSFET的建模方法，其特征在于步骤(3)与理想状态下的双脉冲测试电路相比，非理想状态测试电路中加入了漏极寄生电感Ld、源极寄生电感Ls、栅极寄生电感Lg和寄生电阻Rd。

5.根据权利要求1所述的本发明提出一种基于双脉冲测试平台的碳化硅MOSFET的建模方法，其特征在于步骤(3)考虑了肖特基二极管的结电容Csk。

6.根据权利要求5所述的本发明提出一种基于双脉冲测试平台的碳化硅MOSFET的建模方法，其特征在于利用曲线拟合的方法提取非线性电容值。

7.根据权利要求1所述的本发明提出一种基于双脉冲测试平台的碳化硅MOSFET的建模方法，其特征在于步骤(4)采用状态变量的差商代替微商的方法实现状态方程的离散化。以开通延时阶段的Ig为例：

其中，Ts为采样周期，当采样周期Ts较小时，有：

将kTs代替时间变量t，可以得到如下所示的方程：

则利用状态变量的差商代替微商的方法可以得到离散化的状态方程：