[发明专利]CMP研磨方法在审
| 申请号： | 201910965055.9 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN110690114A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 杨一凡;高志强 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;B24B37/04;B24B37/10 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CMP研磨方法，包括：提供一前端器件，所述前端器件包括结构层、位于所述结构层中的沟槽、位于所述结构层上表面的氮化硅层和填充所述沟槽并覆盖所述氮化硅层的氧化硅层；采用第一研磨剂研磨部分厚度的所述氧化硅层；采用对氧化硅层和氮化硅层高选择比的第二研磨剂研磨所述氧化硅层和氮化硅层；采用第三研磨剂研磨所述氮化硅层，以去除颗粒缺陷。通过采用对氧化硅层和氮化硅层高选择比的第二研磨剂对所述氧化硅层和氮化硅层研磨，提高了氮化硅层的平整度，通过第三研磨剂对所述氮化硅层研磨，去除了颗粒缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅层 氧化硅层 研磨 研磨剂 结构层 颗粒缺陷 前端器件 氮化硅 选择比 平整度 上表面 去除 填充 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种CMP研磨方法，其特征在于，包括：/n提供一前端器件，所述前端器件包括结构层、位于所述结构层中的沟槽、位于所述结构层上表面的氮化硅层和填充所述沟槽并覆盖所述氮化硅层的氧化硅层；/n采用第一研磨剂研磨部分厚度的所述氧化硅层；/n采用对氧化硅层和氮化硅层高选择比的第二研磨剂继续研磨所述氧化硅层和氮化硅层；/n采用第三研磨剂进一步研磨所述氮化硅层。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
