[发明专利]微发光二极管芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201910945915.2 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112582522A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 郭恩卿;王程功;盖翠丽 | 申请（专利权）人： | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张海明;臧建明 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种微发光二极管芯片及其制作方法，其中，本发明提供的微发光二极管芯片包括第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层、第一类型电极、第二类型电极、绝缘钝化层和封装层，发光层和第二类型半导体层层叠设置在第一类型半导体层的部分顶面上构成一个凸台；绝缘钝化层覆盖第一类型半导体层的侧壁和部分顶面、发光层和第二类型半导体层；第一类型电极设置在凸台的一侧，第一类型电极与第一类型半导体层露出绝缘钝化层的部分欧姆接触；封装层至少部分填充在第一类型电极与凸台之间以增加微发光二极管芯片的厚度，本发明提供的微发光二极管芯片避免或减小了微发光二极管芯片产生断裂的可能性，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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