[发明专利]半导体存储器装置的控制器及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201910925916.0 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN111381772B 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 边谕俊 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G11C16/08;G11C16/24
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李新娜;太香花
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种控制器,该控制器控制半导体存储器装置的操作。该控制器包括高速缓存缓冲器、请求分析器和高速缓存控制器。高速缓存缓冲器存储多个高速缓存数据。请求分析器生成请求信息,该请求信息包括关于待被读取的读取数据的大小的信息。高速缓存控制器基于请求信息中的读取数据的大小确定多个高速缓存数据的逐出策略。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置 控制器 及其 操作方法
【主权项】:
暂无信息
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