[发明专利]晶体管外延生长方法和晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201910922368.6 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110660666A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 颜志泓;林志东 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 11646 北京超成律师事务所 | 代理人： | 张栋栋 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种晶体管外延生长方法和晶体管的制备方法，涉及半导体和通信技术领域。晶体管外延生长方法包括：通入第一前驱物，形成基电极层；关断所述第一前驱物，对所述基电极层进行热退火处理；在热退火处理后的所述基电极层上，通入第二前驱物，形成发射极层。对所述基电极层进行热退火处理，能够使基电极层中的碳掺杂键结型态稳定，避免碳掺杂键结因器件操作时偏压获能后再次裂解出碳原子，避免基电极层中的p型掺杂浓度增加，从而避免电流增益增加，改善暂态效应。 | ||
| 搜索关键词： | 基电极层 前驱物 热退火 晶体管 外延生长 碳掺杂 键结 通信技术领域 电流增益 发射极层 浓度增加 器件操作 暂态效应 碳原子 关断 裂解 制备 半导体 申请 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管外延生长方法，其特征在于，包括：/n通入第一前驱物，形成基电极层(600)；/n关断所述第一前驱物，对所述基电极层(600)进行热退火处理；/n在热退火处理后的所述基电极层(600)上，通入第二前驱物，形成发射极层(700)。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
