[发明专利]晶体管外延生长方法和晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201910922368.6 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110660666A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 颜志泓;林志东 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 11646 北京超成律师事务所 | 代理人： | 张栋栋 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基电极层 前驱物 热退火 晶体管 外延生长 碳掺杂 键结 通信技术领域 电流增益 发射极层 浓度增加 器件操作 暂态效应 碳原子 关断 裂解 制备 半导体 申请 | ||
1.一种晶体管外延生长方法，其特征在于，包括：
通入第一前驱物，形成基电极层(600)；
关断所述第一前驱物，对所述基电极层(600)进行热退火处理；
在热退火处理后的所述基电极层(600)上，通入第二前驱物，形成发射极层(700)。
2.根据权利要求1所述的晶体管外延生长方法，其特征在于，所述对所述基电极层(600)进行热退火处理的步骤中，热退火处理的温度范围为：500℃～700℃。
3.根据权利要求1所述的晶体管外延生长方法，其特征在于，所述对所述基电极层(600)进行热退火处理的步骤中，热退火处理的时长范围为：1min～10min。
4.根据权利要求1所述的晶体管外延生长方法，其特征在于，所述第一前驱物为三族前驱物中的一种或五族前驱物中的一种。
5.根据权利要求4所述的晶体管外延生长方法，其特征在于，所述三族前驱物包括TMGa、TMAl、TMIn、TEGa、TEAl、TEIn。
6.根据权利要求4所述的晶体管外延生长方法，其特征在于，所述五族前驱物包括AsH3、TMAs、TBAs、PH3、TBP。
7.根据权利要求1所述的晶体管外延生长方法，其特征在于，所述形成发射极层(700)的步骤之后，包括：
关断所述第二前驱物，对所述发射极层(700)进行热退火处理。
8.根据权利要求1或7所述的晶体管外延生长方法，其特征在于，所述形成发射极层(700)的步骤之后，包括：
在所述发射极层(700)上，通入第三前驱物，形成帽盖层(800)；
关断所述第三前驱物，对所述帽盖层(800)进行热退火处理。
9.根据权利要求8所述的晶体管外延生长方法，其特征在于，所述对所述帽盖层(800)进行热退火处理的步骤之后，包括：
在所述帽盖层(800)上，通入第四前驱物，形成欧姆接触层(900)；
关断所述第四前驱物，对所述欧姆接触层(900)进行热退火处理。
10.一种晶体管的制备方法，其特征在于，所述晶体管的制备方法包括权利要求1～9任一项所述的晶体管外延生长方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
