[发明专利]外延结构和低导通电压晶体管在审
| 申请号： | 201910921313.3 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110610991A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 林科闯;颜志泓;魏鸿基 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/10;H01L29/205 |
| 代理公司： | 11646 北京超成律师事务所 | 代理人： | 孟宪功 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种外延结构和低导通电压晶体管，涉及半导体和通信技术领域。低导通电压晶体管包括外延结构。外延结构包括复合基电极层和发射极层。复合基电极层包括第一基电极层和基于所述第一基电极层制作的第二基电极层；其中，所述第一基电极层的材料包括GaAs，所述第二基电极层的材料包括In | ||
| 搜索关键词： | 基电极层 电极层 复合基 导通电压 外延结构 晶体管 发射极层 通信技术领域 欧姆接触层 信赖性测试 尖峰效应 降低功耗 界面复合 导电带 减薄 能隙 半导体 申请 制作 | ||
【主权项】：
1.一种外延结构，其特征在于，包括：/n复合基电极层(1)，包括第一基电极层(11)和基于所述第一基电极层(11)制作的第二基电极层(12)；/n基于所述第二基电极层(12)制作的发射极层(2)；/n其中，所述第一基电极层(11)的材料包括GaAs，所述第二基电极层(12)的材料包括In
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