[发明专利]外延结构和低导通电压晶体管在审
| 申请号： | 201910921313.3 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110610991A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 林科闯;颜志泓;魏鸿基 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/10;H01L29/205 |
| 代理公司： | 11646 北京超成律师事务所 | 代理人： | 孟宪功 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基电极层 电极层 复合基 导通电压 外延结构 晶体管 发射极层 通信技术领域 欧姆接触层 信赖性测试 尖峰效应 降低功耗 界面复合 导电带 减薄 能隙 半导体 申请 制作 | ||
1.一种外延结构，其特征在于，包括：
复合基电极层(1)，包括第一基电极层(11)和基于所述第一基电极层(11)制作的第二基电极层(12)；
基于所述第二基电极层(12)制作的发射极层(2)；
其中，所述第一基电极层(11)的材料包括GaAs，所述第二基电极层(12)的材料包括InxGa1-xAs。
2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述InxGa1-xAs中，x的取值保持不变。
3.根据权利要求2所述的外延结构，其特征在于，x＝0.25。
4.根据权利要求2所述的外延结构，其特征在于，所述第二基电极层(12)中，In的组分为25％。
5.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述InxGa1-xAs中，在靠近所述发射极层(2)的方向上，x的取值逐渐增大。
6.根据权利要求3所述的外延结构，其特征在于，x的取值从0.05逐渐增至0.25。
7.根据权利要求2所述的外延结构，其特征在于，所述第二基电极层(12)中，In的组分范围为5％～25％。
8.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述第二基电极层(12)的厚度为5nm或者小于临界厚度。
9.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述发射极层(2)的材料包括InGaP。
10.一种低导通电压晶体管，其特征在于，包括权利要求1～9任一项所述的外延结构。
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