[发明专利]掩膜版的制造方法及掩膜版在审
| 申请号： | 201910891434.8 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110488578A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 陈继华;应广驰;郑鸿柱 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掩膜版的制造方法，包括：提供一基版，所述基版上形成有主图形及设于所述主图形区的四周的切割道形成区；在所述切割道图形区中形成套刻对准标记及冗余图形，所述冗余图形包围所述套刻对准标记。在已设有套刻对准标记的情况下，在所述掩膜版的切割道形成区中增设所述冗余图形，能够在后续将所述套刻对准标记和所述冗余图形一并转印至晶圆表面，分散了刻蚀晶圆以得到与所述套刻对准标记相对应的密集线时晶圆表面受到的刻蚀应力，从而避免了刻蚀过程中密集线的断线，减少了套刻对准标记的损坏，提高了刻蚀的稳定性，从而降低了套刻对准的量测噪声，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 套刻 对准标记 冗余图形 切割道 刻蚀 晶圆表面 密集线 掩膜版 基版 产品良率 刻蚀过程 量测噪声 图形区 主图形 断线 晶圆 转印 对准 增设 包围 制造 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一基版，所述基版上形成有主图形区及设于所述主图形区的四周的切割道形成区；/n在所述切割道图形区中形成套刻对准标记，所述套刻对准标记分布在所述主图形区的四周；以及/n在所述切割道图形区中形成冗余图形，所述冗余图形包围所述主图形区及所述套刻对准标记。/n
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