[发明专利]半导体器件及其形成方法、存储器

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法、存储器。在本发明提供的半导体器件中，位线接触塞形成在有源区上并且还局部形成在栅极沟槽中的绝缘材料层上，以使得位线接触塞能够与有源区充分接触，即使在位线接触塞中形成有空隙，仍然能够确保位线接触塞与有源区之间的电性传输性能。此时，针对允许有空隙的位线接触塞而言，其制作难度更低、制备过程更快，相应的可以有效提升存储器的产能。