[发明专利]前置样品室及晶片处理装置在审
申请号: | 201910876399.2 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN112522684A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 郭逃远;金玄永;徐康元 | 申请(专利权)人: | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/455;H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 彭辉剑;龚慧惠 |
地址: | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种前置样品室,用于暂存晶片,并加热或冷却所述晶片,所述前置样品室包括承载台、扩散器和供气管。所述晶片设置在所述承载台上,所述承载台能够加热或冷却所述晶片。所述供气管用于提供气体以加热或冷却所述晶片。所述扩散器与所述供气管连通并设置于所述承载台的上方。所述扩散器朝向所述晶片的一侧均匀开设有多个通孔,所述供气管输送至所述扩散器中的气体从所述通孔流出,所述通孔的位置与所述晶片匹配。所述前置样品室通过所述扩散器与所述承载台配合,使所述晶片的上端面和下端面能同时均匀冷却或加热到预定的温度范围内,避免所述晶片因温度不均匀产生变形甚至破裂。本发明还提供一种包括上述前置样品室的晶片处理装置。 | ||
搜索关键词: | 前置 样品 晶片 处理 装置 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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