[发明专利]前置样品室及晶片处理装置

说明书

一种前置样品室，用于暂存晶片，并加热或冷却所述晶片，所述前置样品室包括承载台、扩散器和供气管。所述晶片设置在所述承载台上，所述承载台能够加热或冷却所述晶片。所述供气管用于提供气体以加热或冷却所述晶片。所述扩散器与所述供气管连通并设置于所述承载台的上方。所述扩散器朝向所述晶片的一侧均匀开设有多个通孔，所述供气管输送至所述扩散器中的气体从所述通孔流出，所述通孔的位置与所述晶片匹配。所述前置样品室通过所述扩散器与所述承载台配合，使所述晶片的上端面和下端面能同时均匀冷却或加热到预定的温度范围内，避免所述晶片因温度不均匀产生变形甚至破裂。本发明还提供一种包括上述前置样品室的晶片处理装置。

技术领域

本发明涉及半导体制造设备领域，尤其涉及一种前置样品室及具有所述前置样品室的晶片处理装置。

背景技术

半导体制程中，为了较佳的组件材料特性，通常会在加热的环境下，在半导体晶片上沉积薄膜。譬如，在化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)制程中，反应温度通常大于摄氏100度。在半导体的制程中，如何能快速均匀冷却或预热半导体晶片是一个重要的问题。不均匀的预热或冷却，除了会因为温差过大造成晶片因热胀冷缩而变形，更有可能晶片本身因材料不同，材料应力不平均导致晶片破裂。而因破裂产生的微小碎裂粉末，也会污染反应室及整个半导体制程机台。

发明内容

鉴于上述状况，本发明提供一种能够快速均匀冷却或加热晶片的前置样品室及具有所述前置样品室的晶片处理装置。

一种前置样品室，用于暂存晶片，并加热或冷却所述晶片，所述前置样品室包括承载台、扩散器和供气管。所述晶片设置在所述承载台上，所述承载台能够加热或冷却所述晶片。所述供气管用于提供气体以加热或冷却所述晶片。所述扩散器与所述供气管连通并设置于所述承载台的上方。所述扩散器朝向所述晶片的一侧均匀开设有多个通孔，所述供气管输送至所述扩散器中的气体从所述通孔流出，所述通孔的位置和分布形状与所述晶片匹配。

可选地，所述扩散器为环形管道，其直径大于或等于所述晶片的直径。

可选地，所述晶片与所述扩散器之间的垂直距离为1mm～300mm。

可选地，所述扩散器朝向所述晶片的一侧可以为一平面并与承载台的端面平行。

可选地，所述多个通孔呈圆形或椭圆形分布在所述平面上。

可选地，所述多个通孔阵列分布在所述平面上，阵列面积大于或等于所述晶片的面积。

可选地，所述通孔内设置有过滤件。

可选地，所述供气管的数量至少为两个并对称设置在所述扩散器上，以保证所述扩散器内的气体流速均匀。

可选地，所述扩散器的数量至少为一个，多个所述扩散器对称设置在所述晶片上方。

一种晶片处理装置，所述晶片处理装置包括上述任一项所述的前置样品室。

上述前置样品室和晶片处理装置通过所述扩散器将气体均匀地从所述晶片上方释放，与所述承载台配合，使所述晶片的上端面和下端面能同时均匀冷却或加热到预定的温度范围内，避免所述晶片因温度不均匀产生变形甚至破裂。

附图说明

图1为前置样品室在一实施例中的结构示意图。

图2为图1前置样品室的俯视图。

图3为图1前置样品室的扩散器的仰视图。

图4为图1前置样品室的正视图。

图5为扩散器在实施例二中的仰视图。

图6为扩散器在实施例三中的仰视图。

图7为扩散器在实施例四中的仰视图。