[发明专利]一种AlGaN基紫外LED外延结构在审
| 申请号： | 201910875250.2 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110473941A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 谷怀民;石恒志;李继航;刘娜娜 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/30;H01L33/32 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 江裕强<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlGaN基紫外LED外延结构，包括从下至上依次排布的衬底、N型层、空穴阻挡层、多量子阱有源区、电子阻挡层、P型层，还包括从N型层引出的n型欧姆接触电极以及从P型层引出的p型欧姆接触电极。由于有源区两侧分别设置了n型掺杂的空穴阻挡层和p型掺杂的电子阻挡层，对量子阱内载流子具有强的限制效应，能够有效抑制载流子溢出有源区，且也能加强载流子的注入效率，进而也提高了载流子在有源区的复合效率。相比LED传统结构，该外延结构具有较高的光输出功率和内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 源区 电子阻挡层 空穴阻挡层 外延结构 多量子阱有源区 光输出功率 内量子效率 传统结构 复合效率 有效抑制 注入效率 紫外LED 量子阱 衬底 排布 溢出 | ||
【主权项】：
1.一种AlGaN基紫外LED外延结构，其特征在于，包括从下至上依次排布的衬底（1）、N型层（2）、空穴阻挡层（3）、多量子阱有源区（4）、电子阻挡层（5）、P型层（6），还包括从N型层（2）的上表面引出的n型欧姆接触电极（0）以及从P型层（6）的上表面引出的p型欧姆接触电极（7）。/n
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