[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201910873504.7 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN110517967B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 藏本雅史;井村俊文;谷定知季 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L33/50;H01L33/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张毅群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是提供一种抑制了将半导体元件粘接于基体的粘接材料的润湿扩展的半导体装置。本发明的解决方法是一种半导体装置(100)，其是通过粘接材料(30)使半导体元件(20)粘接在基体(10)上而成的半导体装置，其特征在于，上述粘接材料(30)含有经表面处理后的粒子(40)或与分散剂共存的粒子(40)，上述粘接材料的边缘部(301)的至少一部分是上述粒子(40)偏在的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其是通过粘接材料使半导体元件粘接在基体上而成的半导体装置，所述粘接材料包含形成于所述半导体元件的外侧的焊角，其中，/n所述粘接材料含有经表面处理后的粒子或与分散剂共存的粒子，/n所述粒子为粒径1nm以上且100nm以下的纳米粒子，/n所述粘接材料包含攀升于所述半导体元件的侧面而设置的攀升部，/n在所述粘接材料的所述焊角的边缘部的弯月形端部中，所述粒子的粒子浓度局部地升高。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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