[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201910873504.7 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN110517967B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 藏本雅史;井村俊文;谷定知季 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L33/50;H01L33/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张毅群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其是通过粘接材料使半导体元件粘接在基体上而成的半导体装置，所述粘接材料包含形成于所述半导体元件的外侧的焊角，其中，
所述粘接材料含有经表面处理后的粒子或与分散剂共存的粒子，
所述粒子为粒径1nm以上且100nm以下的纳米粒子，
所述粘接材料包含攀升于所述半导体元件的侧面而设置的攀升部，
在所述粘接材料的所述焊角的边缘部的弯月形端部中，所述粒子的粒子浓度局部地升高。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述攀升部的至少一部分是所述粒子偏在的区域。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述粒子偏在的区域是所述攀升部的全部。
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，所述粒子的粒子浓度局部地升高的部分是所述焊角的边缘部的整周。
5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，所述粘接材料中的所述粒子的含量为0.1重量％以上且50重量％以下。
6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，所述粒子还存在于所述粘接材料的外缘。
7.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，
所述粘接材料的母材为环氧树脂、硅树脂或者它们的改性树脂或杂化树脂，
所述粒子任选自氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化钛。
8.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，所述粒子为氧化铝、氮化铝、氮化硼、氮化硅中的至少一种。
9.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，俯视时所述半导体元件的侧面与所述粘接材料的边缘部的最长距离为所述半导体元件的最长尺寸的50％以下。
10.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件为发光元件，
所述粘接材料具有透光性。
11.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置具备封装所述半导体元件的封装构件，
所述半导体元件为发光元件，
所述封装构件含有荧光体，所述荧光体偏在于所述封装构件中的所述半导体元件侧。
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