[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201910873504.7 | 申请日: | 2015-04-13 |
公开(公告)号: | CN110517967B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 藏本雅史;井村俊文;谷定知季 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L33/50;H01L33/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张毅群 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
本发明的课题是提供一种抑制了将半导体元件粘接于基体的粘接材料的润湿扩展的半导体装置。本发明的解决方法是一种半导体装置(100),其是通过粘接材料(30)使半导体元件(20)粘接在基体(10)上而成的半导体装置,其特征在于,上述粘接材料(30)含有经表面处理后的粒子(40)或与分散剂共存的粒子(40),上述粘接材料的边缘部(301)的至少一部分是上述粒子(40)偏在的区域。
本申请是申请日为2015年4月13日、申请号为201510172587.9、发明名称为“半导体装置”的申请的分案申请
技术领域
本发明涉及半导体装置。
背景技术
以往,存在有使用装片(die bonding)材料将发光二极管元件接合于基板的上表面而成的光半导体装置(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-077171号公报
专利文献2:日本特开2004-214338号公报
非专利文献
非专利文献1:BM.Weon,JH.Je,Self-Pinning by Colloids Confined at aContact Line,Phys.Rev.Lett.110,028303(2013)
发明内容
发明所要解决的问题
但是,这种光半导体装置存在如下问题:由于装片材料的润湿扩展(包括通常被称为“渗出(bleed out)”的现象),基板的上表面被污染,对引线键合(wire bonding)和/或装片带来障碍。
例如专利文献2中记载了可以通过在引线电极的表面形成槽部来解决这样的问题,但目前还存在改善的余地。
因此,本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供一种抑制了将半导体元件粘接于基体的粘接材料的润湿扩展的半导体装置。
用于解决间题的手段
为了解决上述课题,本发明的一个实施方式是一种半导体装置,其是通过粘接材料将半导体元件粘接在基体上而成的半导体装置,其特征在于,上述粘接材料含有经表面处理后的粒子或者与分散剂共存的粒子,上述粘接材料的边缘部的至少一部分为上述粒子偏在的区域。
发明效果
根据本发明的一个实施方式,可以抑制粘接材料的润湿扩展。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式涉及的半导体装置的示意性俯视图(a)和其A-A截面处的示意性截面图(b)。
图2是对本发明中的基体上表面处的粘接材料的润湿扩展被抑制的原理进行说明的示意图(a)和(b)。
图3是对本发明中的半导体元件侧面处的粘接材料的润湿扩展被抑制的原理进行说明的示意图(a)和(b)。
图4是表示本发明的一个实施方式涉及的半导体装置的粘接材料中的经表面处理后的粒子的含量与润湿扩展面积的关系的曲线图(a)和通过实验例表示该关系的一部分的利用光学显微镜得到的俯视观察图像(b)。
图5是表示本发明的一个实施方式涉及的半导体装置的粘接材料中的经表面处理后的粒子的含量与热阻的关系的曲线图(a)和用于对热阻的降低进行说明的示意图(b)。
图6是用于对本发明的一个实施方式涉及的半导体装置中的半导体元件与粘接材料的关系进行说明的示意性俯视图。
图7是本发明的一个实施方式涉及的半导体装置的示意性俯视图(a)和其B-B截面处的示意性截面图(b)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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