[发明专利]一种具有沟槽结构的碳化硅结势垒肖特基二极管有效
| 申请号： | 201910864537.5 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110571262B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张有润;罗茂久;王帅;陆超;孟繁新;贺晓金;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/872 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有沟槽结构的碳化硅结势垒肖特基二极管，属于半导体器件技术领域。本发明的器件在传统JBS器件结构基础上引入肖特基接触区下沟槽结构，减小了JBS区内主结边缘峰值电场大小，平缓了器件击穿时主结边缘电场分布，提高了器件的反向耐压大小，也提高了器件的正向导通电流大小，同时该结构在大电流且器件的肖特基接触区很宽时，可以达到比传统SiC JBS器件更大的击穿电压值，而反向漏电流变化并不明显，解决了JBS器件在大电流下且肖特基接触区很宽时反向击穿电压特性差等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 沟槽 结构 碳化硅 结势垒肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种具有沟槽结构的碳化硅结势垒肖特基二极管，包括欧姆接触电极(6)、碳化硅N+衬底(1)、碳化硅N-外延层(2)、SiO2隔离介质(7)、肖特基接触电极(5)、多个P+注入区(3)和多个P+场限环(8)；/n欧姆接触电极(6)、碳化硅N+衬底(1)和碳化硅N-外延层(2)从下至上依次层叠设置；多个P+注入区(3)间隔的设置在碳化硅N-外延层(2)的上层；多个P+场限环(8)间隔的设置在碳化硅N-外延层(2)的上层，且位于多个P+注入区(3)的两侧；SiO2隔离介质(7)位于碳化硅N-外延层(2)上方的两侧；肖特基接触电极(5)位于多个P+注入区(3)上，且位于SiO2隔离介质(7)之间；/n其特征在于，多个P+注入区(3)之间还设置有沟槽(4)，肖特基接触电极(5)还位于沟槽(4)的侧壁和底面。/n
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