[发明专利]垂直存储器件以及用于制造其的方法在审
| 申请号： | 201910832906.2 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110943059A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 吴光锡 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直存储器件以及用于制造其的方法。垂直存储器件包括：衬底、在单元阵列区中垂直层叠在所述衬底上的多个栅电极、以及在接触区中形成在所述衬底上的多个多层焊盘部分。所述多个多层焊盘部分中的每个多层焊盘部分从所述多个栅电极中的栅电极的端部延伸。所述多个多层焊盘部分中的每个多层焊盘部分包括：下焊盘、与所述下焊盘垂直间隔开的上焊盘、形成在所述下焊盘和所述上焊盘之间的缓冲焊盘、以及将所述下焊盘和所述上焊盘互连的焊盘互连部分。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储 器件 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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